{"id":2449,"date":"2026-05-06T05:10:20","date_gmt":"2026-05-06T05:10:20","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?p=2449"},"modified":"2026-05-06T05:12:07","modified_gmt":"2026-05-06T05:12:07","slug":"why-silicon-carbide-sic-chips-are-so-difficult-to-manufacture","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/why-silicon-carbide-sic-chips-are-so-difficult-to-manufacture\/","title":{"rendered":"Warum Siliziumkarbid (SiC) Chips so schwierig herzustellen sind: Fragen und Antworten zu 20+ Ger\u00e4ten"},"content":{"rendered":"<p>Siliziumkarbid (SiC) hat sich zu einem der wichtigsten Materialien f\u00fcr die Leistungselektronik der n\u00e4chsten Generation entwickelt. Es erm\u00f6glicht Ger\u00e4te mit h\u00f6herer Spannung, h\u00f6herer Temperatur und h\u00f6herem Wirkungsgrad im Vergleich zu herk\u00f6mmlichem Silizium. Hinter diesen Vorteilen verbirgt sich jedoch eine harte Realit\u00e4t: Die Herstellung von SiC-Chips in gro\u00dfem Ma\u00dfstab ist extrem schwierig und teuer.<\/p>\n\n\n\n<p>Im Gegensatz zur herk\u00f6mmlichen Siliziumverarbeitung sind bei der SiC-Herstellung extreme Temperaturen, ultraharte Materialien und enge Prozessfenster erforderlich. Selbst geringf\u00fcgige Instabilit\u00e4ten in den Anlagen k\u00f6nnen zu Kristalldefekten, Waferbruch oder Ertragsverlusten f\u00fchren.<\/p>\n\n\n\n<p>In diesem Artikel wird die gesamte SiC-Produktionskette anhand von strukturierten Fragen und Antworten zu mehr als 20 Anlagen aufgeschl\u00fcsselt und erl\u00e4utert, warum es so schwierig ist, aus diesem Material zuverl\u00e4ssige Halbleiterbauelemente herzustellen.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image aligncenter size-full\"><a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/produkt\/sic-crystal-growth-furnace-pvt-lpe-ht-cvd-for-high-quality-silicon-carbide-single-crystal-production\/\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"750\" height=\"648\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/sic_crystal_growth_furnace_pvt_lpe_ht_cvd_high_quality_sic_single_crystal_growth_method2.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-2288\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/sic_crystal_growth_furnace_pvt_lpe_ht_cvd_high_quality_sic_single_crystal_growth_method2.webp 750w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/sic_crystal_growth_furnace_pvt_lpe_ht_cvd_high_quality_sic_single_crystal_growth_method2-300x259.webp 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/sic_crystal_growth_furnace_pvt_lpe_ht_cvd_high_quality_sic_single_crystal_growth_method2-14x12.webp 14w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/sic_crystal_growth_furnace_pvt_lpe_ht_cvd_high_quality_sic_single_crystal_growth_method2-600x518.webp 600w\" sizes=\"(max-width: 750px) 100vw, 750px\" \/><\/a><\/figure>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">1. \u00dcberblick \u00fcber die SiC-Herstellung: Zwei Hauptstadien<\/h1>\n\n\n\n<p>Die Herstellung von SiC-Bauelementen gliedert sich im Allgemeinen in zwei Hauptphasen:<\/p>\n\n\n\n<ol class=\"wp-block-list\">\n<li><strong>Kristallwachstum und Waferverarbeitung<\/strong><\/li>\n\n\n\n<li><strong>Herstellung und Verpackung von Ger\u00e4ten<\/strong><\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n<p>Jede Etappe erfordert hochspezialisierte Ausr\u00fcstung, die unter extremen physischen Bedingungen arbeitet.<\/p>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">2. Warum das Wachstum von SiC-Kristallen so schwierig ist<\/h1>\n\n\n\n<p>Im Gegensatz zu Silizium kann SiC nicht aus einer einfachen Schmelze gez\u00fcchtet werden. Es erfordert ein sublimationsbasiertes Wachstum bei extrem hohen Temperaturen (&gt;2000\u00b0C). Dies bringt zahlreiche technische Herausforderungen mit sich.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Q1: Was sind die wichtigsten SiC-Kristallz\u00fcchtungsanlagen?<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Ofen f\u00fcr die Synthese von SiC-Pulver<\/li>\n\n\n\n<li><a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/produkt-kategorie\/crystal-growth-furnace\/\"><mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#0693e3\" class=\"has-inline-color\">Ofen f\u00fcr die SiC-Einkristallz\u00fcchtung<\/mark><\/a><\/li>\n\n\n\n<li>Diamant-Multidrahts\u00e4ge<\/li>\n\n\n\n<li>Schleif- und Poliermaschinen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Q2: Warum ist die Synthese von SiC-Pulver so schwierig?<\/h2>\n\n\n\n<p>Zu den wichtigsten Herausforderungen geh\u00f6ren:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Ultrahohe Temperaturstabilit\u00e4t<\/li>\n\n\n\n<li>Zuverl\u00e4ssigkeit der Vakuumversiegelung<\/li>\n\n\n\n<li>Pr\u00e4zise thermische Kontrolle<\/li>\n\n\n\n<li>Einheitlichkeit der chemischen Reaktion<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Selbst kleine Temperatur- oder Druckabweichungen k\u00f6nnen die Reinheit des Pulvers ver\u00e4ndern und sich direkt auf die Kristallqualit\u00e4t auswirken.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Q3: Warum ist die Technologie der SiC-Kristallzucht\u00f6fen so komplex?<\/h2>\n\n\n\n<p>Zu den Hauptschwierigkeiten geh\u00f6ren:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Gro\u00dfformatiger Hochtemperaturofen<\/li>\n\n\n\n<li>Stabile Vakuumumgebung \u00fcber 2000\u00b0C<\/li>\n\n\n\n<li>Auswahl des Tiegelmaterials (Systeme auf Graphitbasis)<\/li>\n\n\n\n<li>Pr\u00e4zise Steuerung des Gasflusses<\/li>\n\n\n\n<li>Management der Gleichm\u00e4\u00dfigkeit des thermischen Feldes<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Jede Instabilit\u00e4t f\u00fchrt zu:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Polykristalline Defekte<\/li>\n\n\n\n<li>Versetzungen<\/li>\n\n\n\n<li>Ausbeuteverlust bei Wafern<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<hr class=\"wp-block-separator has-alpha-channel-opacity\"\/>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">3. Schneiden und Verarbeitung von Wafern: Mechanische Grenzen von SiC<\/h1>\n\n\n\n<p>8<\/p>\n\n\n\n<p>SiC ist eines der h\u00e4rtesten Halbleitermaterialien, das in seiner H\u00e4rte nur von Diamant \u00fcbertroffen wird. Dies macht die mechanische Bearbeitung extrem schwierig.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">F4: Warum ist das S\u00e4gen mit Diamantdraht f\u00fcr SiC schwierig?<\/h2>\n\n\n\n<p>Wichtige technische Fragen:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Instabilit\u00e4t der Drahtspannung<\/li>\n\n\n\n<li>Kontrolle der Schnittvibrationen<\/li>\n\n\n\n<li>Abnutzung von G\u00fcllepartikeln<\/li>\n\n\n\n<li>W\u00e4rmestau beim Schneiden<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Wenn nicht richtig kontrolliert wird:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Kantenabplatzungen nehmen zu<\/li>\n\n\n\n<li>Es bilden sich interne Mikrorisse<\/li>\n\n\n\n<li>Festigkeit der Wafer nimmt ab<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">F5: Was macht das Schleifen von SiC schwierig?<\/h2>\n\n\n\n<p>Zu den Herausforderungen geh\u00f6ren:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>H\u00e4rte f\u00fchrt zu langsamem Materialabtrag<\/li>\n\n\n\n<li>Bildung von Oberfl\u00e4chenbesch\u00e4digungsschichten<\/li>\n\n\n\n<li>Eigenspannungsakkumulation<\/li>\n\n\n\n<li>Starker Waferverzug nach Ausd\u00fcnnung<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">F6: Warum ist das Polieren von SiC komplexer als das von Silizium?<\/h2>\n\n\n\n<p>Herausforderungen beim Polieren:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Hohe Steifigkeit verursacht ungleichm\u00e4\u00dfige Druckverteilung<\/li>\n\n\n\n<li>Thermische Verformung von Polierpads<\/li>\n\n\n\n<li>Schwierigkeiten bei der Erreichung von Ebenheit auf atomarer Ebene<\/li>\n\n\n\n<li>Die Beseitigung unterirdischer Sch\u00e4den ist schwieriger<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">4. Herstellung von Bauelementen: Extreme thermische und Plasmabedingungen<\/h1>\n\n\n\n<p>8<\/p>\n\n\n\n<p>Nach der Vorbereitung der Wafer f\u00fchrt die Herstellung von SiC-Bauelementen eine weitere Ebene der Komplexit\u00e4t ein: <strong>extreme thermische und plasmabedingte Umgebungen<\/strong>.<\/p>\n\n\n\n<hr class=\"wp-block-separator has-alpha-channel-opacity\"\/>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">F7: Welche Ger\u00e4te werden bei der Herstellung von SiC-Bauteilen verwendet?<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>SiC-Epitaxiereaktoren<\/li>\n\n\n\n<li>Trockene \u00c4tzsysteme<\/li>\n\n\n\n<li>Hochtemperatur-Ionenimplantierger\u00e4te<\/li>\n\n\n\n<li>Hochtemperatur-Gl\u00fch\u00f6fen<\/li>\n\n\n\n<li>Oxidations\u00f6fen<\/li>\n\n\n\n<li>R\u00fcckseitenschleifsysteme<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">F8: Warum ist die SiC-Epitaxie schwierig?<\/h2>\n\n\n\n<p>Die wichtigsten Herausforderungen:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Wachstumsumgebung bei hohen Temperaturen<\/li>\n\n\n\n<li>Instabilit\u00e4t des Gasflusses<\/li>\n\n\n\n<li>Kontrolle von Schnittstellenfehlern<\/li>\n\n\n\n<li>Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der Dicke \u00fcber 200-mm-Wafer<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">F9: Was erschwert das SiC-Plasma\u00e4tzen?<\/h2>\n\n\n\n<p>Zu den Themen geh\u00f6ren:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Hohe chemische Best\u00e4ndigkeit von SiC<\/li>\n\n\n\n<li>Kammerkorrosion durch aggressives Plasma<\/li>\n\n\n\n<li>Geringe \u00c4tzrate im Vergleich zu Silizium<\/li>\n\n\n\n<li>Prozessinstabilit\u00e4t unter Hochenergieplasma<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Q10: Warum ist die Ionenimplantation bei SiC schwieriger?<\/h2>\n\n\n\n<p>SiC erfordert:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Hochtemperatur-Implantation<\/li>\n\n\n\n<li>Tiefes Dotierstoffaktivierungsgl\u00fchen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Herausforderungen:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Die Effizienz der Dotierstoffaktivierung ist gering<\/li>\n\n\n\n<li>Die Wiederherstellung von Kristallsch\u00e4den ist schwierig<\/li>\n\n\n\n<li>Die Ger\u00e4te m\u00fcssen extremen thermischen Zyklen standhalten<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">F11: Warum ist Hochtemperaturgl\u00fchen so wichtig?<\/h2>\n\n\n\n<p>Das Ausgl\u00fchen muss die Implantationssch\u00e4den beheben, aber:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Erfordert extrem hohe Temperaturstabilit\u00e4t<\/li>\n\n\n\n<li>Schnelle thermische Zyklen k\u00f6nnen Risse im Wafer verursachen<\/li>\n\n\n\n<li>Gleichm\u00e4\u00dfige Erw\u00e4rmung ist bei gro\u00dfen Wafern schwierig<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">5. Back-End-Verarbeitung: Ausbeute bestimmt den Gewinn<\/h1>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">F12: Warum ist das Ausd\u00fcnnen der R\u00fcckseite schwierig?<\/h2>\n\n\n\n<p>Die Probleme umfassen:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Dickenkontrolle auf Mikron-Ebene<\/li>\n\n\n\n<li>Bildung von Mikrorissen<\/li>\n\n\n\n<li>Stressbedingter Waferverzug<\/li>\n\n\n\n<li>Zerbrechliche Wafer nach dem Ausd\u00fcnnen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">F13: Warum verzieht sich ein SiC-Wafer h\u00e4ufiger als ein Silizium-Wafer?<\/h2>\n\n\n\n<p>Weil:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>H\u00f6herer intrinsischer Stress<\/li>\n\n\n\n<li>St\u00e4rkere Gittersteifigkeit<\/li>\n\n\n\n<li>Ungleichm\u00e4\u00dfiger Materialabtrag beim Schleifen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">F14: Warum ist die Handhabung von Wafern extrem riskant?<\/h2>\n\n\n\n<p>D\u00fcnne SiC-Wafer sind:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Spr\u00f6de<\/li>\n\n\n\n<li>Stressempfindlich<\/li>\n\n\n\n<li>Leichtes Brechen w\u00e4hrend der \u00dcbertragung durch die Automatisierung<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Schon geringe Vibrationen k\u00f6nnen zu katastrophalen Ertragsverlusten f\u00fchren.<\/p>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">6. Herausforderung auf Systemebene: 20+ Ger\u00e4te m\u00fcssen zusammenarbeiten<\/h1>\n\n\n\n<p>F\u00fcr eine komplette SiC-Produktionslinie sind mehr als 20 Arten von synchron arbeitenden Pr\u00e4zisionsger\u00e4ten erforderlich:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Kristallzucht\u00f6fen<\/li>\n\n\n\n<li>Seils\u00e4gesysteme<\/li>\n\n\n\n<li>Schleifmaschinen<\/li>\n\n\n\n<li>Poliersysteme<\/li>\n\n\n\n<li>Epitaxiereaktoren<\/li>\n\n\n\n<li>\u00c4tzende Systeme<\/li>\n\n\n\n<li>Werkzeuge zur Ionenimplantation<\/li>\n\n\n\n<li>Gl\u00fch\u00f6fen<\/li>\n\n\n\n<li>Oxidations\u00f6fen<\/li>\n\n\n\n<li>R\u00fcckenschleifsysteme<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Die eigentliche Herausforderung ist nicht nur die einzelne Maschine, sondern die Stabilit\u00e4t der Prozessintegration in der gesamten Kette.<\/p>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">7. Warum die SiC-Herstellung so teuer ist<\/h1>\n\n\n\n<p>Die wichtigsten Kostentreiber:<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">1. Extreme Anforderungen an die Ausr\u00fcstung<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Hohe Temperaturen (&gt;2000\u00b0C-Systeme)<\/li>\n\n\n\n<li>Hochvakuum-Umgebungen<\/li>\n\n\n\n<li>Korrosionsbest\u00e4ndige Materialien<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">2. Niedrige Ausbeutes\u00e4tze<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Defekt-Empfindlichkeit<\/li>\n\n\n\n<li>Risiko eines Waferbruchs<\/li>\n\n\n\n<li>Prozessvariabilit\u00e4t<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">3. Langsamer Durchsatz<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Hartes Material verlangsamt alle mechanischen Schritte<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">4. Hohe F&amp;E-Intensit\u00e4t<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Kontinuierliche Prozessoptimierung erforderlich<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">Schlussfolgerung<\/h1>\n\n\n\n<p>Die Herstellung von SiC-Chips ist nicht wegen eines einzigen Engpasses schwierig, sondern weil jede Stufe - von der Kristallz\u00fcchtung bis zur endg\u00fcltigen Ausd\u00fcnnung der Wafer - die derzeitigen Halbleiteranlagen an ihre physikalischen und technischen Grenzen bringt.<\/p>\n\n\n\n<p>Die Kombination von:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Verarbeitung bei extremen Temperaturen<\/li>\n\n\n\n<li>ultrahartes Materialverhalten<\/li>\n\n\n\n<li>enge Fehlertoleranz<\/li>\n\n\n\n<li>mehrstufige Prozesskomplexit\u00e4t<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>macht SiC zu einem der schwierigsten Halbleitermaterialien in der heutigen Massenproduktion.<\/p>\n\n\n\n<p>Mit der Weiterentwicklung der Anlagentechnologie - insbesondere bei der Steuerung des Kristallwachstums, der lasergest\u00fctzten Verarbeitung und den fortschrittlichen \u00c4tzsystemen - wird SiC jedoch allm\u00e4hlich skalierbarer, so dass es in Elektrofahrzeugen, Systemen f\u00fcr erneuerbare Energien und in der Hochspannungs-Leistungselektronik rasch eingesetzt werden kann.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Silicon carbide (SiC) has become one of the most important materials in next-generation power electronics. It enables higher voltage, higher temperature, and higher efficiency devices compared with traditional silicon. However, behind these advantages lies a harsh reality: SiC chips are extremely difficult and expensive to manufacture at scale. Unlike conventional silicon processing, SiC manufacturing involves [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[24],"tags":[1319,1317,1321,1323,1318,368,867,1313,1320,1322],"class_list":["post-2449","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-industry-news","tag-diamond-wire-saw-cutting","tag-ilicon-carbide-manufacturing","tag-ion-implantation-sic","tag-power-electronics-semiconductors","tag-semiconductor-fabrication-equipment","tag-sic-crystal-growth","tag-sic-wafer-processing","tag-wafer-dicing-process","tag-wafer-polishing-process","tag-wafer-warpage"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2449","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2449"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2449\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2450,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2449\/revisions\/2450"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2449"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2449"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2449"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}