{"id":2280,"date":"2026-04-17T02:27:09","date_gmt":"2026-04-17T02:27:09","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?p=2280"},"modified":"2026-04-17T02:28:35","modified_gmt":"2026-04-17T02:28:35","slug":"tgv-technology-for-advanced-packaging","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/tgv-technology-for-advanced-packaging\/","title":{"rendered":"Through Glass Via (TGV) Technologie f\u00fcr fortschrittliche Verpackungen"},"content":{"rendered":"<h2 class=\"wp-block-heading\">1. Einleitung: Branchenkontext und technischer Hintergrund<\/h2>\n\n\n\n<p>Bei modernen Halbleitergeh\u00e4usen f\u00fchrt die kontinuierliche Nachfrage nach h\u00f6herer Bandbreite, geringerem Signalverlust und verbesserter thermischer Stabilit\u00e4t zu einer Umstellung von herk\u00f6mmlichen organischen Substraten auf modernere Verbindungsmaterialien.<\/p>\n\n\n\n<p>Ausgehend von den beobachteten industriellen Entwicklungstrends bei fortschrittlichen Verpackungs- und Substratproduktionslinien haben Glassubstrate aufgrund ihrer hohen Frequenz und Dichte zunehmend ein starkes Potenzial f\u00fcr Hochfrequenz- und High-Density-Anwendungen gezeigt:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Niedrige Dielektrizit\u00e4tskonstante (Dk)<\/li>\n\n\n\n<li>Niedriger dielektrischer Verlust (Df)<\/li>\n\n\n\n<li>Hohe Dimensionsstabilit\u00e4t<\/li>\n\n\n\n<li>Ausgezeichnete elektrische Isolationseigenschaften<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Unter den glasbasierten Verbindungstechnologien hat sich das Through Glass Via (TGV) als eine wichtige L\u00f6sung f\u00fcr die n\u00e4chste Generation von Packaging-Architekturen herauskristallisiert, darunter 2,5D-Interposer, RF-Module und Hochleistungscomputersysteme.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image aligncenter size-large\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"1024\" src=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-1024x1024.jpg\" alt=\"\" class=\"wp-image-2281\" srcset=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-1024x1024.jpg 1024w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-300x300.jpg 300w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-150x150.jpg 150w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-768x768.jpg 768w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-12x12.jpg 12w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-600x600.jpg 600w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging-100x100.jpg 100w, https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/wp-content\/uploads\/2026\/04\/Through-Glass-Via-TGV-Technology-for-Advanced-Packaging.jpg 1120w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">2. Technische Definition von TGV (Through Glass Via)<\/h2>\n\n\n\n<p><strong>Durch Glas hindurch (TGV)<\/strong> bezieht sich auf eine vertikale Verbindungsstruktur, die durch die Schaffung von mikroskopisch kleinen Durchgangsl\u00f6chern in einem Glassubstrat gebildet wird, gefolgt von einer Metallisierung, um die elektrische Verbindung zwischen beiden Oberfl\u00e4chen herzustellen.<\/p>\n\n\n\n<p>Aus der Sicht der Herstellung ist TGV kein einzelner Prozess, sondern ein mehrstufiges integriertes System, das Lasermodifikation, Nass\u00e4tzung, Metallisierung, Galvanisierung und Planarisierungstechnologien kombiniert.<\/p>\n\n\n\n<p>Im Vergleich zur Silizium-Via-Technologie (TSV) bietet TGV:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Geringere RF-Signalabschw\u00e4chung<\/li>\n\n\n\n<li>Reduzierte parasit\u00e4re Kapazit\u00e4t<\/li>\n\n\n\n<li>Verbesserte Stabilit\u00e4t der Hochfrequenz\u00fcbertragung<\/li>\n\n\n\n<li>Verbesserte Dimensionskontrolle auf Waferebene<\/li>\n\n\n\n<li>Bessere Kompatibilit\u00e4t der optisch-elektrischen Integration<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Aufgrund dieser Eigenschaften eignet sich der TGV besonders f\u00fcr RF-Frontend-Module, AI-Packaging-Interposer und optoelektronische Integrationsplattformen.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">3. Via Formation Engineering-F\u00e4higkeiten (Ansicht auf Prozessebene)<\/h2>\n\n\n\n<p>In industriellen Produktionsumgebungen wird die TGV-Durchkontaktierung in der Regel durch ein hybrides Verfahren aus Lasermodifikation und chemischem \u00c4tzen erreicht.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">3.1 Strukturelle Verarbeitungskapazit\u00e4t<\/h3>\n\n\n\n<p>Zu den derzeit ausgereiften Prozessf\u00e4higkeiten geh\u00f6ren:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li><strong>Bildseitenverh\u00e4ltnis bis zu 15:1<\/strong><br>Unterst\u00fctzung der Bildung tiefer Durchkontaktierungen in d\u00fcnnen Glassubstraten.<\/li>\n\n\n\n<li><strong>Bereich der Glasdicke: 0,2 mm bis 1,5 mm<\/strong><br>Abdeckung von ultrad\u00fcnnen Ger\u00e4ten und Standard-Interposer-Plattformen.<\/li>\n\n\n\n<li><strong>Kontrolle mit hoher geometrischer Pr\u00e4zision:<\/strong>\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Zirkularit\u00e4t &gt; 95%<\/li>\n\n\n\n<li>Taillenumfang &gt; 0,9<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Diese Parameter weisen auf eine stabile Via-Morphologie hin, die f\u00fcr eine gleichm\u00e4\u00dfige Metallisierung und eine Minimierung der elektrischen Widerstandsschwankungen entscheidend ist.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">3.2 Technische Einblicke (Ber\u00fccksichtigung der Prozessstabilit\u00e4t)<\/h3>\n\n\n\n<p>Aus Sicht der Fertigung ist die Aufrechterhaltung einer konsistenten Via-Geometrie eine der wichtigsten Determinanten f\u00fcr den Ertrag. Inkonsistente Via-Profile k\u00f6nnen dazu f\u00fchren:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Ungleichm\u00e4\u00dfige Ablagerung der Keimschicht<\/li>\n\n\n\n<li>Entleerung w\u00e4hrend der Galvanisierung<\/li>\n\n\n\n<li>Erh\u00f6hte Variation des elektrischen Widerstands<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Daher sind die Genauigkeit der Laserausrichtung und die Kontrolle der \u00c4tzisotropie entscheidende Prozessparameter.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">4. Metallisierung und Kupferf\u00fclltechnik<\/h2>\n\n\n\n<p>Die TGV-Metallisierung gilt aufgrund des hohen Aspektverh\u00e4ltnisses und der begrenzten Geometrie von Glasdurchkontaktierungen als einer der technisch anspruchsvollsten Schritte.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">4.1 Mehrschichtiger Kupferabscheidungsprozess<\/h3>\n\n\n\n<p>Ein typischer industrieller Prozessablauf umfasst:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Sputtern (Bildung der Keimschicht)<\/li>\n\n\n\n<li>Stromlose Kupferabscheidung<\/li>\n\n\n\n<li>Galvanik (\u00fcber F\u00fcllung)<\/li>\n\n\n\n<li>Chemisch-mechanisches Polieren (CMP)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Dieser mehrstufige Ansatz gew\u00e4hrleistet:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Durchg\u00e4ngig leitf\u00e4hige Bahnen<\/li>\n\n\n\n<li>Gleichm\u00e4\u00dfige Kupferverteilung entlang der Via-Seitenw\u00e4nde<\/li>\n\n\n\n<li>Stabile elektrische Leistung bei Strukturen auf Waferebene<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">4.2 Verfahrenstechnische Herausforderungen<\/h3>\n\n\n\n<p>Ausgehend von den Merkmalen industrieller Prozesse geh\u00f6ren zu den wichtigsten technischen Herausforderungen:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Begrenzung des Massentransports in Vias mit hohem Aspektverh\u00e4ltnis<\/li>\n\n\n\n<li>Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der Ionenverteilung beim Galvanisieren<\/li>\n\n\n\n<li>Stressakkumulation w\u00e4hrend der Kupferabscheidung<\/li>\n\n\n\n<li>Zuverl\u00e4ssigkeit der Grenzfl\u00e4chenhaftung zwischen Glas- und Metallschichten<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Eine fortschrittliche Konstruktion des Beschichtungssystems und eine Optimierung des Str\u00f6mungsfeldes sind in der Regel erforderlich, um diese Effekte zu mildern.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">5. Systemarchitektur der Ausr\u00fcstung und Prozessintegration<\/h2>\n\n\n\n<p>In industriellen TGV-Fertigungslinien bestimmt die Leistung der Anlagen direkt die Prozessausbeute, insbesondere in feuchten Prozessumgebungen.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">5.1 \u00dcber das Trocknungs- und Fehlerkontrollsystem<\/h3>\n\n\n\n<p>Nach der Nassaufbereitung werden Trocknungsanlagen eingesetzt:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Verringerung der durch Fl\u00fcssigkeitsr\u00fcckst\u00e4nde verursachten Mikrorisse<\/li>\n\n\n\n<li>Verbesserung der strukturellen Stabilit\u00e4t von ge\u00e4tzten Vias<\/li>\n\n\n\n<li>Erh\u00f6hung der Gesamtausbeute bei Post-Etch-Prozessen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">5.2 Optimierung des Kupferprozesses und der mechanischen Zuverl\u00e4ssigkeit<\/h3>\n\n\n\n<p>Prozessanlagen aus Kupfer tragen dazu bei:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Verringerung des mechanischen Bruchs beim Polieren<\/li>\n\n\n\n<li>Verbesserte Adh\u00e4sionskraft zwischen den Schichten<\/li>\n\n\n\n<li>Verbesserte Via-Zuverl\u00e4ssigkeit bei Temperaturschwankungen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">5.3 Pr\u00e4zisionskontrolle der Lasermodifikation<\/h3>\n\n\n\n<p>Die in der TGV-Formation verwendeten Lasersysteme bieten:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Stabile Modifikationspfade in spr\u00f6den Glasmaterialien<\/li>\n\n\n\n<li>Hohe Rechtwinkligkeit der Via-Seitenw\u00e4nde<\/li>\n\n\n\n<li>Genaue Positionsausrichtung \u00fcber gro\u00dffl\u00e4chige Substrate<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Diese Faktoren haben einen erheblichen Einfluss auf die Gleichm\u00e4\u00dfigkeit des \u00c4tzens und die Erfolgsrate der Metallisierung.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">6. Integrierte TGV-Fertigung Prozessablauf<\/h2>\n\n\n\n<p>Ein typisches industrielles TGV-Produktionssystem kann in drei Hauptmodule unterteilt werden:<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">6.1 Modul \"Via Formation<\/h3>\n\n\n\n<p>Prozessablauf:<\/p>\n\n\n\n<p>Lasermodifikation \u2192 Nass\u00e4tzung \u2192 AOI-Pr\u00fcfung<\/p>\n\n\n\n<p>Materialumwandlung:<\/p>\n\n\n\n<p>Glassubstrat \u2192 Hochpr\u00e4zise Glasdurchgangsstruktur<\/p>\n\n\n\n<p>Grundausstattung:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Glas \u00fcber \u00c4tzsystem (Wet Bench)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">6.2 Modul Metallisierung und F\u00fcllung<\/h3>\n\n\n\n<p>Prozessablauf:<\/p>\n\n\n\n<p>Sputtern \u2192 stromloses Beschichten \u2192 Galvanisieren \u2192 CMP<\/p>\n\n\n\n<p>Grundausstattung:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Vorgereinigte Nassbankanlage<\/li>\n\n\n\n<li>System zur stromlosen Verkupferung<\/li>\n\n\n\n<li>Doppelseitiges Galvanisierungssystem (Gestellgalvanisierung)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Dieses Modul bestimmt die elektrische Leitf\u00e4higkeit und die langfristige Zuverl\u00e4ssigkeit.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">6.3 Modul zur Bildung der Umverteilungsschicht (RDL)<\/h3>\n\n\n\n<p>Prozessablauf:<\/p>\n\n\n\n<p>Photoresist-Beschichtung \u2192 Lithografie \u2192 Entwicklung \u2192 \u00c4tzen<\/p>\n\n\n\n<p>Grundausstattung:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Entwicklung Wet-Bench-System<\/li>\n\n\n\n<li>UBM-\u00c4tzanlage (Einzelwafer-Glasbearbeitung)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Diese Stufe erm\u00f6glicht laterales Interconnect-Routing f\u00fcr die Integration auf Chipebene.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">7. Herausforderungen bei Zuverl\u00e4ssigkeit und Herstellung<\/h2>\n\n\n\n<p>Trotz ihrer Vorteile steht die TGV-Technologie noch vor einigen technischen und industriellen Herausforderungen:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Kontrolle von Kupferl\u00f6chern mit hohem Aspektverh\u00e4ltnis<\/li>\n\n\n\n<li>Thermisches Spannungsmanagement in spr\u00f6den Glaswerkstoffen<\/li>\n\n\n\n<li>Unterdr\u00fcckung von Mikrorissen bei Nass-Trocken-\u00dcberg\u00e4ngen<\/li>\n\n\n\n<li>Kontrolle von Kreuzkontaminationen in feuchten Arbeitsbereichen<\/li>\n\n\n\n<li>Gro\u00dffl\u00e4chige Kontrolle der Substratgleichm\u00e4\u00dfigkeit<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Aus der Perspektive der industriellen Ausbeute werden diese Herausforderungen in erster Linie durch Optimierung auf Anlagenebene und Prozessintegration angegangen und nicht durch Verbesserungen in einzelnen Schritten.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">8. Entwicklungstrends in der Industrie und Zukunftsaussichten<\/h2>\n\n\n\n<p>Ausgehend von den derzeitigen Entwicklungspfaden bei der Halbleiterverpackung wird erwartet, dass sich die TGV-Technologie weiterentwickeln wird:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Bildseitenverh\u00e4ltnisse von mehr als 20:1<\/li>\n\n\n\n<li>Vollst\u00e4ndig automatisierte Plattformen zur Integration von Nassprozessen<\/li>\n\n\n\n<li>Spannungsarme Kupferf\u00fcllstoffe und Barrieresysteme<\/li>\n\n\n\n<li>F\u00fcr Hochfrequenz (RF\/mmWave) optimierte Interposer-Strukturen<\/li>\n\n\n\n<li>Integration von KI-Rechnern und HPC-Paketen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Mit dem raschen Ausbau der KI-gesteuerten Datenverarbeitungsinfrastruktur wird erwartet, dass TGV zu einer Schl\u00fcsseltechnologie in den fortschrittlichen Verpackungs\u00f6kosystemen der n\u00e4chsten Generation wird.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">9. Schlussfolgerung<\/h2>\n\n\n\n<p><a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/produkt-kategorie\/laser-drilling-machine\/\"><mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#0693e3\" class=\"has-inline-color\">Through Glass Via (TGV)-Technologie <\/mark><\/a>stellt einen entscheidenden Fortschritt in der Halbleiterverbindungstechnik dar und verwandelt Glassubstrate von passiven Isoliermaterialien in funktionale Verbindungsplattformen mit hoher Dichte.<\/p>\n\n\n\n<p>Zu seinen wichtigsten technischen Vorteilen geh\u00f6ren:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Vertikale Verbindungsm\u00f6glichkeiten mit hoher Dichte<\/li>\n\n\n\n<li>Hervorragende RF- und elektrische Leistung<\/li>\n\n\n\n<li>Hervorragende Dimensionsstabilit\u00e4t<\/li>\n\n\n\n<li>Hohe Kompatibilit\u00e4t mit modernen Verpackungsarchitekturen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Aus industrieller Sicht h\u00e4ngt der Erfolg der TGV-Implementierung stark von der Integration von Laserbearbeitungssystemen, Nass\u00e4tzanlagen und fortschrittlichen Galvanikplattformen ab.<\/p>\n\n\n\n<p>Da sich das Advanced Packaging weiter in Richtung h\u00f6herer Leistung und geringerer Signalverluste entwickelt, wird erwartet, dass TGV eine immer wichtigere Rolle in AI-, RF- und optoelektronischen Integrationssystemen spielen wird.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>1. Introduction: Industry Context and Engineering Background In advanced semiconductor packaging, the continuous demand for higher bandwidth, lower signal loss, and improved thermal stability is driving a transition from traditional organic substrates toward more advanced interconnect materials. Based on observed industrial development trends in advanced packaging and substrate manufacturing lines, glass substrates have increasingly demonstrated [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":2281,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[24],"tags":[1107,1112,1106,1108,1110,1111,1109,1105,1104,1113],"class_list":["post-2280","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news","tag-advanced-semiconductor-packaging","tag-ai-chip-packaging-interposer","tag-glass-interposer-technology","tag-high-aspect-ratio-glass-via","tag-laser-drilling-glass-via-process","tag-rf-glass-substrate-interconnect","tag-tgv-electroplating-system","tag-tgv-manufacturing-process","tag-through-glass-via-technology","tag-wet-bench-tgv-process-equipment"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2280","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2280"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2280\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2282,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2280\/revisions\/2282"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2281"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2280"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2280"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2280"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}