{"id":2112,"date":"2026-04-03T05:44:04","date_gmt":"2026-04-03T05:44:04","guid":{"rendered":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/?p=2112"},"modified":"2026-04-03T05:44:13","modified_gmt":"2026-04-03T05:44:13","slug":"silicon-carbide-sic-epitaxy-equipment-and-industry-overview","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\/de\/silicon-carbide-sic-epitaxy-equipment-and-industry-overview\/","title":{"rendered":"Siliziumkarbid (SiC)-Epitaxieanlagen und Industrie\u00fcbersicht"},"content":{"rendered":"

Als Halbleiterepitaxie bezeichnet man das Aufwachsen einkristalliner D\u00fcnnschichten auf Silizium- oder Siliziumkarbidsubstraten (SiC). Die Epitaxieschicht weist dieselbe Kristallorientierung auf wie das Substrat und kann entweder aus demselben Material (Homoepitaxie) oder aus verschiedenen Materialien (Heteroepitaxie) gez\u00fcchtet werden. Bei Hochfrequenz- und Hochleistungsbauelementen tr\u00e4gt das Epitaxiewachstum zur Optimierung der Bauelementleistung bei: Epitaxieschichten mit hohem Widerstand sorgen f\u00fcr eine hohe Durchbruchspannung, w\u00e4hrend Substrate mit niedrigem Widerstand den Serienwiderstand verringern und damit die S\u00e4ttigungsspannung senken. Epitaxieschichten k\u00f6nnen als P-Typ oder N-Typ dotiert werden und bilden PN-\u00dcberg\u00e4nge, die einen unidirektionalen Stromfluss erm\u00f6glichen, wodurch eine Gleichrichtung m\u00f6glich wird. Die SiC-Epitaxie findet breite Anwendung in der Leistungselektronik, in Hochfrequenzger\u00e4ten (RF) und in optoelektronischen Anwendungen.<\/p>\n\n\n\n

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1. SiC-Industriekette und Wertverteilung<\/h3>\n\n\n\n

Die Industriekette f\u00fcr SiC-Bauelemente besteht aus drei Hauptsegmenten: Substrat, Epitaxie und Bauelementeherstellung (Entwurf, Fertigung und Verpackung). Auf die Substrat- und Epitaxiestufen entfallen etwa 70% der Wertsch\u00f6pfungskette, w\u00e4hrend die nachgelagerte Bauelementeverarbeitung nur 30% ausmacht. Dies steht im Gegensatz zu herk\u00f6mmlichen Siliziumbauelementen, bei denen der gr\u00f6\u00dfte Teil der Produktionskosten auf die Verarbeitung nach der Waferherstellung entf\u00e4llt. Die hohe Wertkonzentration im vorgelagerten Bereich verdeutlicht die strategische Bedeutung der Substrat- und Epitaxietechnologien.<\/p>\n\n\n\n

Substrat-Segment<\/strong> umfasst das Kristallwachstum, das Schneiden der Wafer, das Schleifen und das Polieren. Das Kristallwachstum kann durch physikalischen Dampftransport (PVT), chemische Hochtemperatur-Dampfabscheidung (HTCVD) oder Fl\u00fcssigphasenepitaxie (LPE) erfolgen. Zum Schneiden der Wafer werden Drahts\u00e4gen, Diamantdraht, Laser oder Kalttrennverfahren verwendet, w\u00e4hrend das chemisch-mechanische Polieren (CMP) ebene, defektfreie Oberfl\u00e4chen gew\u00e4hrleistet, die f\u00fcr das Epitaxiewachstum geeignet sind.<\/p>\n\n\n\n

2. Verfahren zur Herstellung von SiC-Substraten<\/h3>\n\n\n\n
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  1. Kristallwachstum:<\/strong>\n